电子与封装2019，Vol.19Issue(9)：43-47,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0911
浅沟槽隔离对MOSFET电学特性的影响
Influence of Shallow Trench Isolation on Electrics Characteristic in MOSFET
张海峰 1刘芳 2陈燕宁 1原义栋 2付振1
作者信息
- 1. 北京智芯微电子科技有限公司,国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室,北京100192
- 2. 北京智芯微电子科技有限公司,北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心,北京100192
- 折叠
摘要
关键词
栅电流/浅沟槽隔离/隧穿/能带结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张海峰,刘芳,陈燕宁,原义栋,付振..浅沟槽隔离对MOSFET电学特性的影响[J].电子与封装,2019,19(9):43-47,5.
