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基于铁电薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si结构的负电容效应研究

麦满芳 朱传云 李矩明 马信洲

电子元件与材料2019,Vol.38Issue(11):10-13,4.
电子元件与材料2019,Vol.38Issue(11):10-13,4.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.11.002

基于铁电薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si结构的负电容效应研究

Investigation of negative capacitances in ferroelectric Al/PVDF/SiO2 /n-Si thin film structures

麦满芳 1朱传云 1李矩明 1马信洲2

作者信息

  • 1. 佛山科学技术学院 物理与光电工程学院, 广东 佛山 528225
  • 2. 佛山科学技术学院 材料科学与能源工程学院, 广东 佛山 528225
  • 折叠

摘要

关键词

负电容/铁电薄膜/PVDF/MFIS结构/电感

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

麦满芳,朱传云,李矩明,马信洲..基于铁电薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si结构的负电容效应研究[J].电子元件与材料,2019,38(11):10-13,4.

基金项目

国家自然科学基金 (11504242) (11504242)

佛山科学技术学院高层次人才科研启动项目 (gg07049) (gg07049)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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