电子元件与材料2019，Vol.38Issue(11)：29-36,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.11.006
功率晶体管直流增益温度变化率的研究及埋层结构优化
Study on temperature ramp rate of DC gain of power transistor and optimization of buried layer structure
摘要
关键词
功率晶体管/直流增益/高低温变化率/埋层结构/优化分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张华杰..功率晶体管直流增益温度变化率的研究及埋层结构优化[J].电子元件与材料,2019,38(11):29-36,8.基金项目
国家自然科学基金( U1704132) （ U1704132）
