电子元件与材料2019，Vol.38Issue(12)：84-88,94,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.12.014
基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺的1.2 GHz LNA的设计和仿真
Design and simulation of 1.2 GHz LNA based on TSMC 0.18 μm RF CMOS technology
摘要
关键词
低噪声放大器/共源共栅/噪声系数/功率增益/1dB压缩点分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
祁赓,黄海生,李鑫,惠强..基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺的1.2 GHz LNA的设计和仿真[J].电子元件与材料,2019,38(12):84-88,94,6.基金项目
国家自然科学基金-地区科学基金项目(61661049) （61661049）
西安邮电大学研究生创新基金资助项目(CXJJLI2018013) （CXJJLI2018013）
