电子元件与材料2020，Vol.39Issue(2)：51-57,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.02.009
沟槽式肖特基用高均匀性硅外延支撑层高速生长工艺研究
High-speed growth of epitaxial and uniform silicon support layer for trench Schottky
李明达 1赵扬 1李普生 1王楠1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220
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摘要
关键词
硅外延层/高速沉积/厚度/电阻率/均匀性/晶体缺陷分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李明达,赵扬,李普生,王楠..沟槽式肖特基用高均匀性硅外延支撑层高速生长工艺研究[J].电子元件与材料,2020,39(2):51-57,7.
