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不同温度硫化生长ZnS薄膜的性能

杨光张仁刚曹兴忠张鹏王宝义

电子元件与材料2020，Vol.39Issue(3)：33-38,6.

电子元件与材料2020，Vol.39Issue(3)：33-38,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.03.006

Properties of ZnS thin films prepared by different-temperature sulfidation

杨光 ¹张仁刚 ¹曹兴忠 ²张鹏 ²王宝义²

作者信息

ZnS薄膜/磁控溅射/硫化/光透过率

数理科学

杨光,张仁刚,曹兴忠,张鹏,王宝义..不同温度硫化生长ZnS薄膜的性能[J].电子元件与材料,2020,39(3):33-38,6.

国家自然科学基金(11705212, 11975173) （11705212, 11975173）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-2028

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