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Zn沉积时间对低温硫化制备ZnS薄膜性能的影响

杨光 张仁刚 曹兴忠 张鹏 王宝义

电子元件与材料2020,Vol.39Issue(5):43-48,6.
电子元件与材料2020,Vol.39Issue(5):43-48,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.05.006

Zn沉积时间对低温硫化制备ZnS薄膜性能的影响

Effect of deposition time of Zn on properties of ZnS thin films prepared by low-temperature sulfidation

杨光 1张仁刚 1曹兴忠 2张鹏 2王宝义2

作者信息

  • 1. 武汉科技大学 理学院, 湖北 武汉 430081
  • 2. 中国科学院高能物理研究所, 北京 100049
  • 折叠

摘要

关键词

ZnS薄膜/磁控溅射/Zn沉积时间/低温硫化/光透过率

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨光,张仁刚,曹兴忠,张鹏,王宝义..Zn沉积时间对低温硫化制备ZnS薄膜性能的影响[J].电子元件与材料,2020,39(5):43-48,6.

基金项目

国家自然科学基金(11705212,11975173) (11705212,11975173)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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