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氧等离子体对少层MoS2及其场效应晶体管的影响研究

张亚东 贾昆鹏 吴振华 田汉民

电子元件与材料2020,Vol.39Issue(5):67-72,6.
电子元件与材料2020,Vol.39Issue(5):67-72,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.05.010

氧等离子体对少层MoS2及其场效应晶体管的影响研究

Effect of oxygen plasma treatment on few-layer MoS2 and its field-effect-transistor

张亚东 1贾昆鹏 2吴振华 2田汉民2

作者信息

  • 1. 河北工业大学 电子信息工程学院 电子材料与器件天津重点实验室, 天津 300401
  • 2. 中国科学院 微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室, 北京 100029
  • 折叠

摘要

关键词

二硫化钼/场效应晶体管/氧等离子体/拉曼光谱/掺杂

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张亚东,贾昆鹏,吴振华,田汉民..氧等离子体对少层MoS2及其场效应晶体管的影响研究[J].电子元件与材料,2020,39(5):67-72,6.

基金项目

河北省留学人员择优资助项目(C2015003040) (C2015003040)

国家重点研发计划(2016YFA0202300) (2016YFA0202300)

国家自然科学基金(61774168) (61774168)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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