电子元件与材料2020，Vol.39Issue(7)：19-27,34,10.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0303
In组分和势垒层掺杂浓度的变化对基于InGaN全固态太阳能电池的影响
Effects of In component and barrier doping concentration changes on InGaN-based all-solid-state solar cells
摘要
关键词
PETE/InGaN/全固态/In组分/掺杂浓度分类
数理科学引用本文复制引用
赵琦,沈晓明,符跃春,何欢..In组分和势垒层掺杂浓度的变化对基于InGaN全固态太阳能电池的影响[J].电子元件与材料,2020,39(7):19-27,34,10.基金项目
国家自然科学基金 (61474030) （61474030）
广西自然科学基金 (2015GXNSFAA139265) （2015GXNSFAA139265）
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南宁市科技攻关计划 (20151268) （20151268）
