衬底温度对NiFe2O4薄膜生长和磁学性能的影响OACHSSCD
采用直流磁控溅射方法,保持Ar气流量不变,控制O2气在Ar气与O2气混合气体在Ar/O2=30sccm/90sccm的情况下,采用STO(100)单晶基片制备了FNO薄膜.利用XRD和VSM等测试手段,对STO(100)单晶基片生长的不同基片温度FNO薄膜的结构及磁学性能进行表征.测试结果表明,在STO(100)单晶基片上不同基片温度得到了NiFe2 O4薄膜,随着基片的温度增大,样品的矫顽力Hc先增大后减小,基片温度为650摄氏度时,矫顽力最大…查看全部>>
孙德烨;庄澔淼;姬雪蕾;王晶;刘伟达;王丽丽
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NiFe2O4薄膜基片温度氧气分压微观结构磁学性能
《产业与科技论坛》 2020 (14)
基于交换偏置作用BiFeO3对NiFe2O4等磁性薄膜的电场调控
63-64,2
本文为国家自然科学基金(编号:51302019)和吉林省科技厅科学技术研究项目(编号:20180520222JH)与吉林省产业技术研究与开发项目(编号:2018C043-3)及吉林省教育厅"十三五"科技项目(编号:JJKH20191195KJ)研究成果.
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