电子与封装2020，Vol.20Issue(8)：43-46,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0804
700 V超低比导通电阻的LDMOS器件
700 V Ultra-Low Specific on-Resistance LDMOS
李怡 1乔明1
作者信息
- 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
- 折叠
摘要
关键词
LDMOS/Triple RESURF/比导通电阻/击穿电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李怡,乔明..700 V超低比导通电阻的LDMOS器件[J].电子与封装,2020,20(8):43-46,4.
