电子元件与材料2020，Vol.39Issue(9)：56-61,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0047
HfO2/SrTiO3全氧化物场效应晶体管栅极漏电性质研究
Gate leakage properties of HfO2 /SrTiO3 all-oxide field effect transistor
摘要
关键词
非晶氧化物/场效应晶体管/漏电机制/空间电荷限制电流/缺陷分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨潇,肖化宇,唐义强,曾慧中,张万里..HfO2/SrTiO3全氧化物场效应晶体管栅极漏电性质研究[J].电子元件与材料,2020,39(9):56-61,6.基金项目
国家重点研发计划(2017YFB0406401) （2017YFB0406401）
国家自然科学基金(51672035) （51672035）
