GaN超高频谐振反激变换器OA北大核心CSCD
GaN Very-high-frequency Resonant Flyback Converter
同等电压应力下的GaN器件相比Si器件具有更低的导通电阻Rds(on)(on-resistance)及门极充电电荷Qg,能够大幅降低驱动和开关损耗,有利于提高变换器效率及功率密度.在低压小功率场合的超高频VHF(very high freque-ncy)谐振反激变换器中,提出了一种集成空芯变压器,大幅减小了印制电路板PCB(printed circuit board)面积,提高了功率密度.同时通过有限元分析FEA(finite element a…查看全部>>
顾占彪;许可;唐家承;李志斌;张之梁;任小永
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051中国航发控制系统研究所,无锡 214000中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051南京航空航天大学航空电源重点实验室,南京 211106南京航空航天大学航空电源重点实验室,南京 211106南京航空航天大学航空电源重点实验室,南京 211106
信息技术与安全科学
氮化镓超高频高功率密度变压器集成
《电源学报》 2020 (5)
19-27,9
国家优秀青年科学基金资助项目(51722702)中央高校基本科研业务费资助项目(NP2019101)
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