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6H-SiC基混合肖特基/PiN二极管反向恢复及少子特性研究

刘春娟 郑丽君 汪再兴 穆洲

电子元件与材料2020,Vol.39Issue(10):52-58,82,8.
电子元件与材料2020,Vol.39Issue(10):52-58,82,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0256

6H-SiC基混合肖特基/PiN二极管反向恢复及少子特性研究

Reverse recovery and minority carrier characteristic of MPS diodes based on 6H-SiC

刘春娟 1郑丽君 1汪再兴 1穆洲1

作者信息

  • 1. 兰州交通大学 电子与信息工程学院, 甘肃 兰州 730070
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摘要

关键词

6H-SiC MPS/反向恢复峰值电流/反向恢复峰值电压/少数载流子/软恢复因子

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘春娟,郑丽君,汪再兴,穆洲..6H-SiC基混合肖特基/PiN二极管反向恢复及少子特性研究[J].电子元件与材料,2020,39(10):52-58,82,8.

基金项目

甘肃省自然科学基金(1610RJZA046) (1610RJZA046)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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