一维非稳态半导体漂移扩散模型的弱Galerkin有限元法OA北大核心CSCDCSTPCD
A weak Galerkin finite element method for 1D drift-diffusion model of time-dependent semiconductor devices
本文提出了一种求解一维非稳态半导体漂移扩散模型的弱Galerkin有限元法.该模型是一个描述静电势分布的泊松方程和一个刻画电子守恒性的非线性对流扩散方程的耦合系统.该格式在单元内部用分片k(k≥0)次多项式来逼近静电势Ψ和电子浓度n,用分片k+1次多项式来逼近静电势Ψ和电子浓度n的导数.本文得到了半离散问题的最优误差估计.数值实验验证了理论结果.
朱紫陌;李鸿亮;张世全
四川大学数学学院,成都610064中国工程物理研究院电子工程研究所,绵阳621900四川大学数学学院,成都610064
数理科学
非稳态漂移扩散模型弱Galerkin有限元法半离散误差估计
《四川大学学报（自然科学版）》 2020 (4)
锂离子电池微观模型的降阶计算方法
625-634,10
国家自然科学基金(11401407)
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