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横向超结器件耐压与比导的优值仿真与实验验证

杨昆 乔明 何俊卿 王睿

电子与封装2020,Vol.20Issue(10):53-56,4.
电子与封装2020,Vol.20Issue(10):53-56,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1003

横向超结器件耐压与比导的优值仿真与实验验证

Simulation and Experimental Verification of the Optimal Values of Voltage and Specific Conductance of Lateral Super Junction Devices

杨昆 1乔明 1何俊卿 1王睿1

作者信息

  • 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
  • 折叠

摘要

关键词

超结器件/导通电阻Ron,sp/击穿电压VB

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨昆,乔明,何俊卿,王睿..横向超结器件耐压与比导的优值仿真与实验验证[J].电子与封装,2020,20(10):53-56,4.

电子与封装

1681-1070

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