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GaN HEMT经时击穿可靠性的研究进展

孙梓轩 蔡小龙 杜成林 段向阳 陆海

电子元件与材料2020，Vol.39Issue(12)：1-7,7.
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电子元件与材料2020，Vol.39Issue(12)：1-7,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0523

GaN HEMT经时击穿可靠性的研究进展

Research progress on reliability of time-dependent breakdown in GaN HEMT

孙梓轩 1蔡小龙 2杜成林 1段向阳 2陆海3

作者信息

  • 1. 移动网络和移动多媒体技术国家重点实验室, 广东 深圳 518057
  • 2. 中兴通讯股份有限公司, 江苏 南京 210012
  • 3. 南京大学 电子科学与工程学院, 江苏 南京 210093
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓/高电子迁移率晶体管/综述/经时击穿/失效/可靠性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙梓轩,蔡小龙,杜成林,段向阳,陆海..GaN HEMT经时击穿可靠性的研究进展[J].电子元件与材料,2020,39(12):1-7,7.

基金项目

国家重点研发计划(2017YFB0403000) （2017YFB0403000）

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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