电子元件与材料2020，Vol.39Issue(12)：71-76,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0454
沟槽MOSFET耐压与导通电阻的优化设计
Optimal design of breakdown voltage and on-resistance for trench MOSFET
摘要
关键词
沟槽MOSFET/导通电阻/击穿电压/沟槽深度/沟槽宽度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
乔杰,冯全源..沟槽MOSFET耐压与导通电阻的优化设计[J].电子元件与材料,2020,39(12):71-76,6.基金项目
国家自然科学基金重点项目(61531016,61831017) （61531016,61831017）
四川省重大科技专项(19ZDYF2904,2018ZDZX0148,2018GZDZX0001) （19ZDYF2904,2018ZDZX0148,2018GZDZX0001）
