电子与封装2020，Vol.20Issue(12)：63-65,3.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1208
重掺衬底对硅外延过程中系统自掺杂的影响
The Effect of Heavily Doped Substrate on System Autodoping of Silicon Epitaxy
摘要
关键词
硅外延/衬底/自掺杂/衬底电阻率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨帆,马梦杰,金龙,王银海..重掺衬底对硅外延过程中系统自掺杂的影响[J].电子与封装,2020,20(12):63-65,3.
