电子与封装2020，Vol.20Issue(12)：66-70,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1211
MIS型GaN HEMT器件的X-ray辐射总剂量效应研究
Study of X-ray Total-Ionizing-Dose Effect in MIS Type GaN HEMT Device
吴素贞 1徐政 1徐海铭 1宋思德 1谢儒彬 1洪根深 1吴建伟 1贺琪1
作者信息
- 1. 中科芯集成电路有限公司,江苏无锡214072
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摘要
关键词
GaN HEMT/MIS栅结构/X-ray总剂量辐射效应/阈值电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吴素贞,徐政,徐海铭,宋思德,谢儒彬,洪根深,吴建伟,贺琪..MIS型GaN HEMT器件的X-ray辐射总剂量效应研究[J].电子与封装,2020,20(12):66-70,5.
