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硅外延电阻率测试稳定性研究

杨帆 黄宇程 王银海 潘文宾

电子与封装2020，Vol.20Issue(12)：71-74,4.
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电子与封装2020，Vol.20Issue(12)：71-74,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1209

硅外延电阻率测试稳定性研究

Research on the Stability of Silicon Epitaxial Resistivity Test

杨帆 1黄宇程 1王银海 1潘文宾1

作者信息

  • 1. 南京国盛电子有限公司,南京211111
  • 折叠

摘要

关键词

电阻率/薄膜/稳定性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨帆,黄宇程,王银海,潘文宾..硅外延电阻率测试稳定性研究[J].电子与封装,2020,20(12):71-74,4.

电子与封装

1681-1070

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