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一种高Q值高耦合叠层射频变压器的设计

经龙 秦会斌 胡炜薇

电子元件与材料2021,Vol.40Issue(1):59-64,71,7.
电子元件与材料2021,Vol.40Issue(1):59-64,71,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1401

一种高Q值高耦合叠层射频变压器的设计

Design of a high Q value and high coupling laminated RF transformer

经龙 1秦会斌 1胡炜薇1

作者信息

  • 1. 杭州电子科技大学 新型电子器件与应用研究所,浙江 杭州 310018
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摘要

关键词

射频集成电路/高耦合/叠层/片上变压器/背硅刻蚀工艺/最大可用增益

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

经龙,秦会斌,胡炜薇..一种高Q值高耦合叠层射频变压器的设计[J].电子元件与材料,2021,40(1):59-64,71,7.

基金项目

浙江省科技计划项目(2017C01027) (2017C01027)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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