Si基GaN射频器件研究进展

房柏彤朱广润张凯郭怀新陈堂胜

电子元件与材料2021，Vol.40Issue(2)：111-118,8.

电子元件与材料2021，Vol.40Issue(2)：111-118,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1550

Progress of GaN RF HEMTs on silicon substrate

房柏彤 ¹朱广润 ¹张凯 ¹郭怀新 ¹陈堂胜¹

作者信息

硅基氮化镓/射频损耗/综述/无金工艺/功率密度/功率附加效率

信息技术与安全科学

房柏彤,朱广润,张凯,郭怀新,陈堂胜..Si基GaN射频器件研究进展[J].电子元件与材料,2021,40(2):111-118,8.

国家自然科学基金 (61874101,61904162) （61874101,61904162）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-2028

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