电子元件与材料2021，Vol.40Issue(2)：119-123,149,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1632
具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究
Reverse breakdown study of PiN diode with multi-field limiting ring terminals
刘晓忠 1汪再兴 1孙霞霞 1郑丽君 1高金辉1
作者信息
- 1. 兰州交通大学 电子与信息工程学院,甘肃 兰州 730070
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摘要
关键词
PiN二极管/场限环/击穿电压/结深/漂移区掺杂浓度/电场分布分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘晓忠,汪再兴,孙霞霞,郑丽君,高金辉..具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究[J].电子元件与材料,2021,40(2):119-123,149,6.
