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锑基异质结晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应

杨桂霞 庞元龙 王晓东 徐家云 蒋洞微

电子元件与材料2021，Vol.40Issue(2)：124-130,7.
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电子元件与材料2021，Vol.40Issue(2)：124-130,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1680

锑基异质结晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应

Effects of total ionizing dose,enhanced low-dose-rate sensitivity and irradiation annealing on antimonide based HBTs

杨桂霞 1庞元龙 2王晓东 2徐家云 3蒋洞微1

作者信息

  • 1. 四川大学 原子核科学与技术研究所,四川 成都 610064
  • 2. 中国工程物理研究院 核物理与化学研究所,四川 绵阳 621900
  • 3. 重庆赛宝工业技术研究院,重庆 401332
  • 折叠

摘要

关键词

分子束外延/1/f噪声/总剂量效应/低剂量率损伤增强效应/异质结双极晶体管

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨桂霞,庞元龙,王晓东,徐家云,蒋洞微..锑基异质结晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应[J].电子元件与材料,2021,40(2):124-130,7.

基金项目

国家NASF基金(U1630141) （U1630141）

国家自然科学基金(11605169) （11605169）

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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