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络合剂DTPA-5K在集成电路阻挡层CMP中的应用及机理分析

霍兆晴 牛新环 刘玉岭 杨程辉 卢亚楠

电子元件与材料2021,Vol.40Issue(2):156-162,7.
电子元件与材料2021,Vol.40Issue(2):156-162,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1771

络合剂DTPA-5K在集成电路阻挡层CMP中的应用及机理分析

Application and mechanism of complexing agent DTPA-5K in barrier CMP of integrated circuit

霍兆晴 1牛新环 2刘玉岭 1杨程辉 2卢亚楠1

作者信息

  • 1. 河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130
  • 2. 天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
  • 折叠

摘要

关键词

阻挡层CMP/DTPA-5K/去除速率/TAZ/选择比/平坦化性能/表面质量

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

霍兆晴,牛新环,刘玉岭,杨程辉,卢亚楠..络合剂DTPA-5K在集成电路阻挡层CMP中的应用及机理分析[J].电子元件与材料,2021,40(2):156-162,7.

基金项目

国家科技重大专项 (02专项)(2016ZX02301003-004_007) (02专项)

天津市自然科学基金(16JCYBJC16100,18JCTPJC57000) (16JCYBJC16100,18JCTPJC57000)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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