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GaN HEMT电力电子器件技术研究进展

鲍婕 周德金 陈珍海 宁仁霞 吴伟东 黄伟

电子与封装2021,Vol.21Issue(2):14-23,10.
电子与封装2021,Vol.21Issue(2):14-23,10.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0211

GaN HEMT电力电子器件技术研究进展

Research Progress of GaN HEMT Power Devices Technology

鲍婕 1周德金 2陈珍海 3宁仁霞 4吴伟东 1黄伟4

作者信息

  • 1. 黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心,安徽黄山245041
  • 2. 多伦多大学电气与计算机工程学院,加拿大多伦多M5S3G4
  • 3. 复旦大学微电子学院,上海200443
  • 4. 清华大学无锡应用技术研究院,江苏无锡214072
  • 折叠

摘要

关键词

GaN HEMT/p-GaN/增强型/MIS-HEMT

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

鲍婕,周德金,陈珍海,宁仁霞,吴伟东,黄伟..GaN HEMT电力电子器件技术研究进展[J].电子与封装,2021,21(2):14-23,10.

基金项目

安徽省科技重大专项(18030901006) (18030901006)

安徽省高校优秀青年骨干人才国内外访问研修项目(gxgwfx2019054),安徽省重点研究与开发计划项目(201904b11020007) (gxgwfx2019054)

电子与封装

1681-1070

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