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GaN单片功率集成电路研究进展

赖静雪 陈万军 孙瑞泽 刘超 张波

电子与封装2021,Vol.21Issue(2):24-35,12.
电子与封装2021,Vol.21Issue(2):24-35,12.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0212

GaN单片功率集成电路研究进展

Development of GaN Monolithic Power Integrated Circuits

赖静雪 1陈万军 1孙瑞泽 1刘超 1张波1

作者信息

  • 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
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摘要

关键词

AlGaN/GaN HEMT/全氮化镓/变换器IC/单片集成/功率变换

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赖静雪,陈万军,孙瑞泽,刘超,张波..GaN单片功率集成电路研究进展[J].电子与封装,2021,21(2):24-35,12.

基金项目

国家自然科学基金(62004030) (62004030)

电子与封装

1681-1070

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