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GaN HEMT栅驱动技术研究进展

周德金 何宁业 宁仁霞 许媛 徐宏 陈珍海 黄伟 卢红亮

电子与封装2021,Vol.21Issue(2):36-47,12.
电子与封装2021,Vol.21Issue(2):36-47,12.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0213

GaN HEMT栅驱动技术研究进展

Advances in GaN HEMT Gate Driver Technology Research

周德金 1何宁业 2宁仁霞 3许媛 3徐宏 3陈珍海 2黄伟 2卢红亮3

作者信息

  • 1. 复旦大学微电子学院,上海200443
  • 2. 清华大学无锡应用技术研究院,江苏无锡214072
  • 3. 黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心,安徽黄山245041
  • 折叠

摘要

关键词

GaN HEMT/栅驱动电路/电平移位/绝缘隔离/半桥

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

周德金,何宁业,宁仁霞,许媛,徐宏,陈珍海,黄伟,卢红亮..GaN HEMT栅驱动技术研究进展[J].电子与封装,2021,21(2):36-47,12.

基金项目

安徽省重点研究与开发计划项目(201904b11020007) (201904b11020007)

广西精密导航技术与应用重点实验室开放基金(DH201913) (DH201913)

电子与封装

1681-1070

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