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基于GaAs背孔工艺监控研究

黄光伟 马跃辉 陈智广 李立中 林伟铭

电子与封装2021,Vol.21Issue(2):97-99,3.
电子与封装2021,Vol.21Issue(2):97-99,3.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0209

基于GaAs背孔工艺监控研究

Research on Back Hole Process Monitoring Based on GaAs

黄光伟 1马跃辉 1陈智广 1李立中 1林伟铭1

作者信息

  • 1. 福联集成电路有限公司,福建莆田351111
  • 折叠

摘要

关键词

砷化镓/背孔/良率/监控/ICP蚀刻

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

黄光伟,马跃辉,陈智广,李立中,林伟铭..基于GaAs背孔工艺监控研究[J].电子与封装,2021,21(2):97-99,3.

电子与封装

1681-1070

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