电子与封装2021，Vol.21Issue(3)：53-56,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0308
基于0.15 μm GaN工艺的2～18 GHz两级分布式放大器
2-18 GHz Two Stage Distribute Power Amplifier by 0.15μm GaN Process
贾洁 1蔡利康1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京210016
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摘要
关键词
超宽带/分布式/功率管放大器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
贾洁,蔡利康..基于0.15 μm GaN工艺的2～18 GHz两级分布式放大器[J].电子与封装,2021,21(3):53-56,4.
