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高击穿电压复合介质结构垂直GaN基PN二极管优化设计

赵智源杜江锋刘勇于奇

电子元件与材料2021，Vol.40Issue(3)：250-256,261,8.

电子元件与材料2021，Vol.40Issue(3)：250-256,261,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1837

Optimal design of high breakdown voltage vertical trapezoidal GaN PN diodes with a compound dielectric

赵智源 ¹杜江锋 ¹刘勇 ¹于奇¹

作者信息

GaN/复合介质/PN二极管/击穿电压/电场分布

信息技术与安全科学

赵智源,杜江锋,刘勇,于奇..高击穿电压复合介质结构垂直GaN基PN二极管优化设计[J].电子元件与材料,2021,40(3):250-256,261,8.

国家自然科学基金面上项目(61376078) （61376078）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-2028

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