电子元件与材料2021，Vol.40Issue(4)：323-327,5.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1838
基于二维层状GaSe纳米片忆阻器阻变特性研究
Resistive switching behaviors of memristors based on two-dimensional layered GaSe nanosheets
摘要
关键词
二维材料/硒化镓/忆阻器/非易失性/阻变分类
数理科学引用本文复制引用
廖康宏,康雨薇,雷沛先,汤越月,接文静..基于二维层状GaSe纳米片忆阻器阻变特性研究[J].电子元件与材料,2021,40(4):323-327,5.基金项目
国家自然科学基金(61974097) （61974097）
四川省杰出青年科技人才项目(2019JDJQ0052) （2019JDJQ0052）
