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三次非线性忆阻器的双端口建模与特性分析

曹伟 乔金杰 赵丽娜 崔弘

电子元件与材料2021,Vol.40Issue(4):381-386,6.
电子元件与材料2021,Vol.40Issue(4):381-386,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1634

三次非线性忆阻器的双端口建模与特性分析

Dual port modeling and its characteristic analysis of cubic nonlinear memristor

曹伟 1乔金杰 2赵丽娜 1崔弘1

作者信息

  • 1. 齐齐哈尔大学 计算机与控制工程学院, 黑龙江 齐齐哈尔 161006
  • 2. 齐齐哈尔大学 经济与管理学院,黑龙江 齐齐哈尔 161006
  • 折叠

摘要

关键词

忆阻器/三次非线性/双端口模型/滞回环/仿真

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

曹伟,乔金杰,赵丽娜,崔弘..三次非线性忆阻器的双端口建模与特性分析[J].电子元件与材料,2021,40(4):381-386,6.

基金项目

国家自然科学基金(71803095,61872204) (71803095,61872204)

教育部人文社会科学研究青年基金项目(18YJC790130) (18YJC790130)

黑龙江省自然科学基金(LH2020G009) (LH2020G009)

黑龙江省省属本科高校基本科研业务费面上项目(135409311) (135409311)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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