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LDO类IC多工位测试方法探索

王金萍

电子与封装2021,Vol.21Issue(5):25-29,5.
电子与封装2021,Vol.21Issue(5):25-29,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0508

LDO类IC多工位测试方法探索

Exploration of Multi-Site Test Method for LDO IC

王金萍1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡 214072
  • 折叠

摘要

关键词

芯片测试/低压差线性稳压器/多工位测试

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王金萍..LDO类IC多工位测试方法探索[J].电子与封装,2021,21(5):25-29,5.

电子与封装

1681-1070

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