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C波段连续波200 W GaN内匹配功率管设计与实现

汤茗凯唐世军顾黎明周书同

电子与封装2021，Vol.21Issue(5)：47-51,5.

电子与封装2021，Vol.21Issue(5)：47-51,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0506

Design and Implementation of a C-Band Continuous Wave 200 W GaN Internally Matched Power Transistor

汤茗凯 ¹唐世军 ¹顾黎明 ¹周书同¹

作者信息

连续波/氮化镓/大功率/内匹配功率管/C波段

信息技术与安全科学

汤茗凯,唐世军,顾黎明,周书同..C波段连续波200 W GaN内匹配功率管设计与实现[J].电子与封装,2021,21(5):47-51,5.

ISSN：1681-1070

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