电子与封装2021，Vol.21Issue(5)：56-62,7.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0509
深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计
ESD Protection Device Design Based on Deep Submicron SOI Technology
米丹 1周昕杰 1周晓彬 1何正辉 1卢嘉昊1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡 214072
- 折叠
摘要
关键词
深亚微米/SOI工艺/自加热效应/ESD防护器件/栅控二极管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
米丹,周昕杰,周晓彬,何正辉,卢嘉昊..深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计[J].电子与封装,2021,21(5):56-62,7.
