|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|电子元件与材料|不同Te掺杂量对InSb晶体性能的影响

不同Te掺杂量对InSb晶体性能的影响

马林 杨瑞霞 于凯 王健 刘莎莎

电子元件与材料2021，Vol.40Issue(6)：547-552,6.
✕
电子元件与材料2021，Vol.40Issue(6)：547-552,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0037

不同Te掺杂量对InSb晶体性能的影响

Influence of Te doping concentration on the properties of InSb crystal

马林 1杨瑞霞 2于凯 1王健 2刘莎莎3

作者信息

  • 1. 河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300401
  • 2. 中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220
  • 3. 新型半导体晶体材料技术重点实验室, 天津 300220
  • 折叠

摘要

关键词

InSb/直拉(Cz)法/Te掺杂/迁移率/带隙

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马林,杨瑞霞,于凯,王健,刘莎莎..不同Te掺杂量对InSb晶体性能的影响[J].电子元件与材料,2021,40(6):547-552,6.

基金项目

国家自然科学基金(61774054) （61774054）

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文