电子元件与材料2021，Vol.40Issue(6)：553-558,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0120
基于耦合机制的AlN晶体生长速率模型
AlN single crystal growth rate model based on coupled mechanism
摘要
关键词
AlN晶体/计算机模拟/耦合机制/生长速率/工艺参数分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郭森,张丽..基于耦合机制的AlN晶体生长速率模型[J].电子元件与材料,2021,40(6):553-558,6.基金项目
国家重点研发计划(2017YFB0404103,2017YFB0404200) （2017YFB0404103,2017YFB0404200）
