电子与封装2021，Vol.21Issue(7)：71-76,6.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0714
基于导通延迟补偿的并联MOS栅控晶闸管均流方法研究
Research on Parallel Current Sharing of MOS Gate Controlled Thyristor Based on Gate Resistance on Delay Compensation
袁榕蔚 1刘超 1陈万军1
作者信息
- 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
- 折叠
摘要
关键词
MOS栅控晶闸管/并联均流/导通延迟补偿/栅电阻分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
袁榕蔚,刘超,陈万军..基于导通延迟补偿的并联MOS栅控晶闸管均流方法研究[J].电子与封装,2021,21(7):71-76,6.
