电子元件与材料2021，Vol.40Issue(7)：665-669,5.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0040
氧空位含量对铝基薄膜忆阻器的影响及稳定性研究
Effect of oxygen vacancy content on the resistive properties and stability of Al-based thin film memristor
摘要
关键词
铝基薄膜忆阻器/铝纳米颗粒/氧空位/单极阻变特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘兰,朱玮,文常保,周荣荣,郭恬恬..氧空位含量对铝基薄膜忆阻器的影响及稳定性研究[J].电子元件与材料,2021,40(7):665-669,5.基金项目
国家自然科学基金青年科学基金项目(61704010) （61704010）
陕西省自然科学基础研究计划项目(2020JM-238,2021JM-184) （2020JM-238,2021JM-184）
