电子与封装2021，Vol.21Issue(8)：65-70,6.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0817
基于0.18 μm CMOS加固工艺的抗辐射单元库开发
Radiation Hardened Library Development Based on 0.18 μm CMOS Radiation-Hardening Process
姚进 1左玲玲 1周晓彬 1刘谆 1周昕杰1
作者信息
- 1. 中科芯集成电路有限公司,江苏无锡214072
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摘要
关键词
标准单元库/抗辐射/单元库验证分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
姚进,左玲玲,周晓彬,刘谆,周昕杰..基于0.18 μm CMOS加固工艺的抗辐射单元库开发[J].电子与封装,2021,21(8):65-70,6.
