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SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究

唐常钦 王多为 龚敏 马瑶 杨治美

电子与封装2021，Vol.21Issue(8)：77-83,7.
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电子与封装2021，Vol.21Issue(8)：77-83,7.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0811

SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究

Study on the Static Temperature Characteristics of SiC MOSFET after Gamma Irradiation

唐常钦 1王多为 2龚敏 1马瑶 2杨治美1

作者信息

  • 1. 四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室,成都 610064
  • 2. 四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,成都 610064
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摘要

关键词

SiC MOSFET/伽马辐照/总剂量效应/静态特性/室温退火/温度特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

唐常钦,王多为,龚敏,马瑶,杨治美..SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究[J].电子与封装,2021,21(8):77-83,7.

基金项目

国家级抗辐照应用技术创新中心资助(KFZC2020021001) （KFZC2020021001）

国家自然科学基金青年基金(11875068、61704116) （11875068、61704116）

电子与封装

1681-1070

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