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低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究

王敬轩 商庆杰 杨志

电子与封装2021,Vol.21Issue(8):94-98,5.
电子与封装2021,Vol.21Issue(8):94-98,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0815

低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究

Research on Low Stress Silicon Nitride by Using Low Pressure Chemical-Vapor Deposition Process

王敬轩 1商庆杰 1杨志1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050000
  • 折叠

摘要

关键词

微机械加工/低压化学气相淀积/低应力氮化硅/均匀性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王敬轩,商庆杰,杨志..低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究[J].电子与封装,2021,21(8):94-98,5.

电子与封装

1681-1070

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