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抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP后碟形坑及蚀坑的影响

崔志慧 王辰伟 刘玉岭 赵红东 李红亮

电子元件与材料2021,Vol.40Issue(8):808-813,6.
电子元件与材料2021,Vol.40Issue(8):808-813,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0065

抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP后碟形坑及蚀坑的影响

Synergistic effect of slurry additives on dishing and erosion after CMP in copper interconnection barrier layer

崔志慧 1王辰伟 2刘玉岭 1赵红东 2李红亮1

作者信息

  • 1. 河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300130
  • 2. 天津市电子材料与器件重点实验室, 天津 300130
  • 折叠

摘要

关键词

化学机械平坦化/低磨料/络合剂/促进剂/协同作用

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

崔志慧,王辰伟,刘玉岭,赵红东,李红亮..抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP后碟形坑及蚀坑的影响[J].电子元件与材料,2021,40(8):808-813,6.

基金项目

国家自然科学基金(62074049) (62074049)

河北省自然科学基金(E2019202367) (E2019202367)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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