电子元件与材料2021，Vol.40Issue(8)：819-825,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0182
基于粒子群优化算法提取GaN HEMTs外部寄生参数
External parasitic parameters of GaN HEMTs extracted based on particle swarm optimization algorithm
郑良川 1王军1
作者信息
- 1. 西南科技大学 信息工程学院, 四川 绵阳 621010
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摘要
关键词
GaN HEMTs/PSO/参数/算法分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郑良川,王军..基于粒子群优化算法提取GaN HEMTs外部寄生参数[J].电子元件与材料,2021,40(8):819-825,7.
