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一种基于4H-SiC JBS二极管的Boost型PFC电路

姜玉德 甘新慧 赵琳娜 顾晓峰

电子元件与材料2021,Vol.40Issue(9):923-929,7.
电子元件与材料2021,Vol.40Issue(9):923-929,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0102

一种基于4H-SiC JBS二极管的Boost型PFC电路

A boost PFC circuit based on 4H-SiC JBS diode

姜玉德 1甘新慧 2赵琳娜 1顾晓峰1

作者信息

  • 1. 江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122
  • 2. 华润微电子有限公司,江苏 无锡 214061
  • 折叠

摘要

关键词

4H-SiC/结势垒肖特基二极管/功率因数校正电路/反向恢复特性/转换效率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

姜玉德,甘新慧,赵琳娜,顾晓峰..一种基于4H-SiC JBS二极管的Boost型PFC电路[J].电子元件与材料,2021,40(9):923-929,7.

基金项目

国家自然科学基金(61504049) (61504049)

江苏省研究生科研与实践创新计划(KYCX18_1855) (KYCX18_1855)

中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510) (JUSRP51510)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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