电子与封装2021，Vol.21Issue(9)：73-76,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0914
高浓度硅外延纵向电阻率分布研究
Study on Vertical Resistivity Distribution of Silicon Epitaxy with High Doping Concentration
摘要
关键词
桶式外延炉/基座/波浪形貌/纵向电阻率分布/掺杂浓度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
尤晓杰,王银海,葛华,韩旭..高浓度硅外延纵向电阻率分布研究[J].电子与封装,2021,21(9):73-76,4.
