电子元件与材料2021，Vol.40Issue(10)：1007-1011,5.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0048
100V沟槽MOS器件的动态雪崩失效分析
Dynamic avalanche failure analysis of 100 V trench MOS device
摘要
关键词
沟槽MOS/动态雪崩/失效分析/UIS/终端/并联仿真分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
冉飞,冯全源..100V沟槽MOS器件的动态雪崩失效分析[J].电子元件与材料,2021,40(10):1007-1011,5.基金项目
国家自然科学基金重大项目(62090012) （62090012）
国家自然科学基金重点项目(62031016,61831017) （62031016,61831017）
四川省重点项目(2019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0452,2020YFG0028) （2019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0452,2020YFG0028）
