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一种集成无源电容式高硅铝合金基微波功率芯片载体技术

刘米丰 任卫朋 赵越 陈韬 王盈莹

电子元件与材料2021,Vol.40Issue(11):1112-1117,6.
电子元件与材料2021,Vol.40Issue(11):1112-1117,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1839

一种集成无源电容式高硅铝合金基微波功率芯片载体技术

A passive capacitance integrated and high Si-Al alloy based microwave power chip carrier technology

刘米丰 1任卫朋 1赵越 1陈韬 1王盈莹1

作者信息

  • 1. 上海航天电子通讯设备研究所, 上海 201109
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摘要

关键词

芯片载体/高硅铝合金/薄膜电容/微波组件

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘米丰,任卫朋,赵越,陈韬,王盈莹..一种集成无源电容式高硅铝合金基微波功率芯片载体技术[J].电子元件与材料,2021,40(11):1112-1117,6.

基金项目

国家科技重大专项(02专项)(2014ZX02501016) (02专项)

上海航天电子通讯设备研究所博士创新基金(DZS-BS-2019-08) (DZS-BS-2019-08)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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